〜高周波誘導加熱装置開発の独自指針が強み〜
常にシステムを磨き続けていく姿勢を堅持高周波ネッスルでは、高周波誘導加熱装置の開発にあたって、独自技術を背景とした加熱精度と加熱浸透の迅速さだけではなく、高周波誘導加熱装置の導入コストや実際の製造ライン上における使い勝手。さらにはシステムの柔軟性に対する独自指針を設けており、常に積極的なシステムの改良を重ねています。 |
外的環境・連続動作など複数要素を完全制御 高周波誘導加熱装置の開発上における課題は、外的な温度上昇による環境変化や、連続動作による熱上昇要因の発生など多様です。 |
〜モノ造りで求められる諸条件に応える技術的バックボーン〜
搭載モジュールの開発力も強みのひとつ 高周波ネッスルでは、永年培ってきたハードウェアの設計実績や技術・ノウハウを基礎に、多彩な顧客企業のご要望に沿いながら高周波誘導加熱装置の開発コストを抑え、高品質な装置の開発と提供を実現してきました。 |
「早い・小型・軽量」が高周波ネッスルの特徴 そうした準備を踏まえてから顧客企業のご要請を受け、各モジュールを組み合わせながらコンパクトな筐体にまとめ上げていくのです。 |
〜標準的仕様であれば即短期による納入も実現〜
装置開発の総合力が当社の強み機能別モジュールの開発力。その背景には、高周波誘導加熱装置の専業メーカーとして高周波ネッスルが培った装置製造に関わる「システムアーキテクチャ力」「加熱機能自体の独自開発技術」「組込LSIやアプリケーションソフトウエアの最適化技術」など多彩かつ広範囲な知見があります。 |
専業メーカーの強みが小型・迅速納入を実現 そこから引き出される「早い、小型、軽量」は当社がモノ造りの現場へ向けて送り出す高周波誘導加熱装置の最大の特徴となっています。 |
〜今後も続く迅速納入・小型軽量への挑戦〜
ハードからシステム開発までをワンストップで例えば、一般的な製造工程で求められるような標準的な高周波誘導加熱機能をお探しなのであれば、ハードウェア設計から組込システム開発・納入にいたるまで、当社独自のモジュール開発力を背景に、ワンストップかつ短期間で装置開発を行い、納入することが可能です。 |
今後も不可能を可能にするために技術を磨く つまり高周波ネッスルであれば、他社では不可能とされる短納期でも優れた高周波誘導加熱装置を納入していくことが実現するのです。 |
| 形式 | A | B | C | KW |
|---|---|---|---|---|
| KNT | 460 | 400 | 470 | 1KW〜10KW |
| KNT | 610 | 500 | 600 | 15KW〜40KW |
| KNT | 1600 | 650 | 680 | 50KW〜150KW |
迅速な装置納入・ご希望の仕様をお持ちなら
■製品に関するお問い合わせにあっては、下記フローをご参照下さいませ。
■装置導入までのフロー例
○お客様のニーズ
↓
○仕様の確認
↓
○高周波装置の概略算定
↓
○仕様の設定
↓
○(確証試験)
↓
○見積書の提出
↓
○最終仕様の確認
↓
○御注文
↓
○納入仕様の確認
↓
○設計、製作、検査
↓
○納入
■高周波装置の概略算定
高周波装置の出力
誘導加熱の出力、周波数の選定には、双方が関係しますので、両方の適切な選定が重要です。
■高周波の出力推定
ワークを昇温、させる為の正味電力量(Kw/sec)
Pa=4.186×M×C×ΔT(Kw/sec)
M:ワーク加熱部の質量(Kg)
C:ワークの比熱、(Cal/g.deg)
ΔT:目標とする温度差(deg)
高周波の必要出力(kw)
HFPa=Pa/(ηc×ηL)×K(Kw)
例○φ20-300LのSS丸棒を常温~500℃に10Secで昇温する場合の高周波出力は、
ηc:結合度(0.4~0.9)
ηL:伝熱効率(0.5~0.9)
K:余祐度(1.1~1.5)
①ワーク重量約0.75kg
②昇温温度(ΔT)480℃(500℃-20℃)
③比熱 0.12
1.正味電力量
Pa=4.186×0.75×0.12×480=180kw/Sec
10Secで昇温する場合の高周波出力は、180kw÷10Sec=18kw
∴18kwの正味電力量が必要となります。
2.高周波出力
HFPa=Pa/(ηc×ηL)×K(Kw)
ηc=0.7
ηL=0.8
K=1.2
HFPa=18/0.7×0.8×1.2=38Kw
∴38Kwの高周波出力が必要となります。
■高周波装置の周波数
2.周波数の選定
周波数によりワークへの高周波電流浸透深さが異なる為に加熱部の形状寸法、材質、目的に応じて、最適周波数を選定しなければならない。周波数選定は以下の点がポイントになります。
◎低周波(100Hz~5KHz位)
ワーク物が大きい又は容量がある。
加熱時間が長い
ワーク全体を均熱加熱したい。
◎中周波(5KHz~50KHz程度)
ワーク物が中位、又は中容量。
比較時加熱時間が長い。
ワーク全体を均熱加熱したい。
ワーク均熱精度を上げたい。(例えば500℃±10℃以下など)
比較的薄いワーク
比較的細いワーク
比較的小さいワーク
◎高周波(50KHz~400KHz程度)
細いワーク(φ1~φ5位)。
小さいワーク
薄いワーク(0.5t~2t位)
局所部分を加熱したい。
非磁性体。(AL、Bs、SUS)
箇所部分を加熱したい。
短時間加熱(1Sec~10Sec位)
◎Hi高周波(400KHz~2MHz程度)
細いワーク(φ0.5~φ2位)。
小さいワーク
薄いワーク(0.1t~1t位)
局所部分を加熱したい。
非磁性体(AL、Bs、SUS等)
短時間加熱(0.5Sec~2Sec)
◎特殊高周波(2MHz以上)
非常に細いワーク(φ0.1~φ1.0位)
瞬間加熱(100mSec~1Sec位)
非磁性体(AL、Bs、SUS等)
局所部分を加熱したい。
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